Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Mechanizmus transportu náboje Schottkyho kontakty na jednodimenzionálních nanostrukturách ZnO

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    Standardní projekty 19 (SGA0201500001)

  • Hlavní účastníci

    Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    15-17044S

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Charge transport mechanism in Schottky contacts on one-dimensional ZnO nanostructures

  • Anotace anglicky

    Low dimensional semiconductor structures have been intensively studied for prospective electronic and photonic applications. One of the key issues in these devices is to understand and control charge transport at metal/semiconductor nanostructure interface. Our goal is to describe fundamental phenomena taking place during charge transport in Schottky barriers prepared on one-dimensional ZnO nanostructures. Vertical arrays of ZnO nanorods (NRs) and nanowires (NWs) prepared by hydrothermal growth are characterized by a set of diagnostic methods as a feedback for the modification of technology in order to tailor their morphology and their electrical, optical, and structural properties. Schottky contacts to individual NRs and NWs and their arrays are formed by vacuum evaporation of the metals, by the deposition of colloidal graphite, by e-beam lithography, focused electron/ion beam induced deposition, and by the tip of atomic force microscope or nanomanipulator tip in the scanning electron microscope.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • CEP - hlavní obor

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

  • CEP - vedlejší obor

  • CEP - další vedlejší obor

  • OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení dokončeného projektu

  • Hodnocení poskytovatelem

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Zhodnocení výsledků projektu

    Cílem projektu byla příprava a charakterizace jednorozměrných polovodičových struktur na bázi ZnO. Tým zvládl potřebné postupy včetně unikátní techniky přenosu jednotlivých nanotyček. Experimentální práce byla doplněna teoretickými výpočty. Byly získány významné výsledky na mezinárodní úrovni. Prací se účastnili 3 studenti doktorského studia a 4 středoškoláci. Prostředky byly použity účelně.

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2015

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2017

  • Poslední stav řešení

    U - Ukončený projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    5. 4. 2017

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP18-GA0-GA-U/02:1

  • Datum dodání záznamu

    4. 5. 2018

Finance

  • Celkové uznané náklady

    4 593 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    4 593 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    0 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč