Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Heterostruktury nanodrátů ZnO/(Al,Ga)N pro optoelektroniku

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Mezinárodní grantové projekty hodnocené na principu LEAD Agency

  • Veřejná soutěž

  • Hlavní účastníci

    Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    M2 - Mezinárodní spolupráce

  • Číslo smlouvy

    23-07585K

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Heterostructures of ZnO/(Al,Ga)N Nanowires for Optoelectronics

  • Anotace anglicky

    The goal of the project is to fabricate novel ZnO/(Al,Ga)N nanowire heterostructures for optoelectronics and to investigate their fundamental electrical and optical properties. Two complementary technologies, plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and chemical bath deposition (CBD), will be used for the growth of (Al,Ga)N and ZnO parts of the structure, respectively. PAMBE offers a large degree of freedom in designing (Al,Ga)N dislocation-free seeds with controlled polarity and density, while CBD in continuous flow reactors with precise control of supersaturation will deliver high-quality ZnO/(Al,Ga)N interfaces, which are critical for the high luminescence efficiency. The project is unique in the combination of electrical characterization of individual nanowire heterostructures using nanoprobes in scanning electron microscope with nanoscale characterization by low-temperature cathodoluminescence spectroscopy, electron beam induced current, and transmission electron microscopy. Particular attention will be paid to the study of charge transport in individual heterostructures.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • OECD FORD - hlavní obor

    20201 - Electrical and electronic engineering

  • OECD FORD - vedlejší obor

  • OECD FORD - další vedlejší obor

  • CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika<br>JB - Senzory, čidla, měření a regulace

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2023

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2025

  • Poslední stav řešení

    B - Běžící víceletý projekt

  • Poslední uvolnění podpory

    27. 3. 2023

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP24-GA0-GF-R

  • Datum dodání záznamu

    19. 2. 2024

Finance

  • Celkové uznané náklady

    6 543 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    6 363 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    180 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč