Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 1 (SGA02002GA-ST)

Hlavní účastníci

Masarykova univerzita / Přírodovědecká fakulta

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

—

Název projektu anglicky

Self-organisation processes on the interfaces during epitaxial growth of semiconductor superlattices

Anotace anglicky

The process of self organization during the epitaxial growth of a semiconductor heterostructure is a good candidate for the technology of very small structures (quantum wires and dots) with very interesting applications. In the proposed project the structure of self organized interfaces will be studied by x-ray scattering (small angle x-ray scattering, high-angle scattering, grazing-incidence scattering) and by means of atomic-force microscopy. The experimental results will be compared to the theoretical simulations of epitaxial growth based on the Monte-Carlo simulations of the growth kinetics and on the calculations of the deformation field below the growing surface. Experiments will be performed on SiGe/Si SiC/Ge and PbSe/PbEuTe superlattices grownby molecular beam epitaxy. X-ray measurements will be carried out on laboratory x-ray sources as well as on the ESRF synchrotron in Grenoble. The structural changes of the self organized interfaces at high temperatures will be

Kategorie VaV

—

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Projekt ukázal, že kombinací povrchově citlivého maloúhlového rozptylu rentgenového záření a jeho povrchově citlivou difrakcí lze nedestruktivně určit tvary, polohy a chemické složení kvantových drátů a teček, vznikajících při procesech samouspořádání bě

Zahájení řešení

1. 1. 2000

Ukončení řešení

1. 1. 2002

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

—

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP/2003/GA0/GA03GA/U/N/9:7

Datum dodání záznamu

19. 5. 2008

Celkové uznané náklady

2 765 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 165 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

2 400 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč