Prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie na jednotlivých InAs/GaAs kvantových tečkách uzavřených mezi AlGaAs barierami
Cíle projektu
InAs kvantové tečky v GaAs uzavřené mezi AlGaAs barierami budou studovány pomoci balistického elektronového emisního mikroskopu (BEEM). Detailní prostorově rozlišená balistická elektronová emisní spektroskopie (BEES) na těchto tečkách je hlavním předmětem projektu. Bude mapována hustota stavů a transmisivita jednotlivých kvantových stavů na jednotlivých kvantových tečkách. Bude vyvinut speciální software pro realizaci takových měření. Vzorky budou připravovány MOVPE (organo kovová plynová epitaxe) technikou a výsledky měření budou srovnávaný s výsledky měření na vzorcích připravených dříve MBE (molekulární epitaxe) technikou (University of Nothingham). Výsledky přispěji k rozšíření znalostí o kvantových tečkách a tím k vývoji vysoce efektivních laserů,miniaturních pamětí a jednofotonových zdrojů.
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Standardní projekty
Veřejná soutěž
Standardní projekty 8 (SGA02005GA-ST)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
202/05/0242
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Space resolved ballistic electron emission spectroscopy on individual InAs/GaAs dots embedded in AlGaAs barriers
Anotace anglicky
The InAs quantum dots (QDs) in GaAs embedded in AlGaAs barriers will be studied by ballistic electron emission microscope (BEEM). The detailed space resolved ballistic electron emission spectroscopy (BEES) on these QDs will be the main aim of the project. The density of states and the transmissivity of individual quantum states will be mapped in QD. The special software will be developed for realization of such measurements. The samples will be prepared by MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) technique and results of measurements will be compared with results measured on MBE (Molecular Beem Epitaxy) grown samples (University of Nottingham). The results contribute to increasing knowledge about QDs which are necessary for development of high efficient lasers, ultrasmall memories and single photon sources.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - vedlejší obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - další vedlejší obor
—
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
V - Vynikající výsledky projektu (s mezinárodním významem atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
Pomocí balistické elektronové emisní mikroskopie/spektroskopie (BEEM/BEES) byly zkoumány vzorky s kvantovými tečkami které byly umístěné v GaAs/AlGaAs heterostruktuře. Vzorky byly připraveny MOCVD technikou. Pomocí BEEM byly zobrazeny základny individuál
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2005
Ukončení řešení
31. 12. 2007
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
2. 5. 2007
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP08-GA0-GA-U/04:3
Datum dodání záznamu
16. 12. 2008
Finance
Celkové uznané náklady
1 301 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
1 301 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
1 301 tis. Kč
Statní podpora
1 301 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Doba řešení
01. 01. 2005 - 31. 12. 2007