Využití povrchových jevů k eliminaci rozsáhlých defektů v polovodičových nanostrukturách

Název projektu anglicky
Exploitation of surface phenomena for elimination of extended defects in semiconductor nanostructures
Anotace anglicky
Semiconductor films are often grown on lattice-mismatched substrates, which results in a high density of threading dislocations that reduce the efficiency of LEDs, laser diodes, and HEMT transistors. Existing theoretical models of III-nitrides assume a purely covalent description of bonds and ignore their strong ionic component. In addition, experiments focus on the consequences of the large-misfit epitaxy and not on the origin of nucleation of extended defects. In this project, we formulate a new empirical potential for the Ga-Al-N-Si system, which will allow not only the determination of equilibrium structures but also the calculations of charge states of extended defects. Optimization of the early stage of III-nitride growth in a layer-by-layer fashion by ALD (PLD) will enable manufacturing of high-quality AlN/Si{111} and GaN/Si{100} substrates for homoepitaxial growth by MOVPE. Studies of the structure, electrical and optical properties of the heterostructures thus obtained will allow identification of the optimal route to preparing films with low density of extended defects.

Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
OECD FORD - hlavní obor
20501 - Materials engineering
OECD FORD - vedlejší obor
—
OECD FORD - další vedlejší obor
—
CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)
JG - Hutnictví, kovové materiály<br>JP - Průmyslové procesy a zpracování

Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP24-GA0-GA-R
Datum dodání záznamu
27. 2. 2024

Podobné projekty(10)