Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Struktury pro rychlé, energeticky úsporné a logické obvody založené na GaN

Veřejná podpora

  • Poskytovatel

    Grantová agentura České republiky

  • Program

    Standardní projekty

  • Veřejná soutěž

    SGA0202500001

  • Hlavní účastníci

    Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.

  • Druh soutěže

    VS - Veřejná soutěž

  • Číslo smlouvy

    25-18221S

Alternativní jazyk

  • Název projektu anglicky

    Structures for fast, energy-efficient and logic electronics based on GaN (FEELGaN)

  • Anotace anglicky

    GaN based electronics is newly developing semiconductor field for high-frequency and high-power applications such as 5G and 6G communication networks, charging stations, data centers and power-efficient electronics. The expected results of proposed project promise important improvement of GaN-based HEMT technology. Frequency properties and electron mobility will be improved by newly suggested V-pit morphology of AlGaN/GaN interface. Reliability and electron channel properties of e-HEMT structures will be improved by replacing Mg doped capping by more reliable alternatives such as InGaN capping. The most important part of the project is development of new concept of complementary HEMT structures based on InGaN capping. Function of this devices is based on two conduction channels formed by 2DEG and 2DHG which can be complementary switched on and off by applied voltage (similary to CMOS structures. This device has potential to help GaN electrons enter into the logic circuits applications and high-capacity data storage.

Vědní obory

  • Kategorie VaV

    ZV - Základní výzkum

  • OECD FORD - hlavní obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

  • OECD FORD - vedlejší obor

    20501 - Materials engineering

  • OECD FORD - další vedlejší obor

    21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

  • CEP - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus<br>JG - Hutnictví, kovové materiály<br>JJ - Ostatní materiály<br>JP - Průmyslové procesy a zpracování

Termíny řešení

  • Zahájení řešení

    1. 1. 2025

  • Ukončení řešení

    31. 12. 2027

  • Poslední stav řešení

    Z - Začínající víceletý projekt

  • Poslední uvolnění podpory

Dodání dat do CEP

  • Důvěrnost údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Systémové označení dodávky dat

    CEP25-GA0-GA-R

  • Datum dodání záznamu

    25. 2. 2025

Finance

  • Celkové uznané náklady

    6 793 tis. Kč

  • Výše podpory ze státního rozpočtu

    6 752 tis. Kč

  • Ostatní veřejné zdroje financování

    41 tis. Kč

  • Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

    0 tis. Kč