Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 9 (SGA02009GA1PD)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

102/09/P543

Název projektu anglicky

Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters

Anotace anglicky

Our goal is to gather more complete information related to the origin of contrast between thedoped areas and semiconductor substrate, during examination in a scanning low energy electronmicroscope. The contrast mechanism, whether related to the effect ofcharge injection into dopedpatterns on the semiconductor substrate, or to the cross-section of the multilayered structure, willbe investigated. The experiments will be conducted using a SLEEM, with an angular sensitive BSEand SE detector, and an additional arbitrarily low landing energy (with steps in range of 0.01 eV),which can be adjusted. Noticeable charge injection effects can be assumed, mainly in the depletionregion of the p-n junction, the location of which is thus controllable with the depth ofbeampenetration.

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - další vedlejší obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

V&nbsp;rámci projektu byly navrženy a vyrobeny speciální vzorky planárních dopovaných struktur, které umožnily proměřit v&nbsp;jednom zorném poli obrazu ze SEM chování struktur s&nbsp;různou úrovní dopování a opačnou vodivostí. Byla navázána spolupráce ?

Zahájení řešení

1. 1. 2009

Ukončení řešení

31. 12. 2010

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

16. 4. 2010

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP11-GA0-GP-U/04:3

Datum dodání záznamu

20. 3. 2015

Celkové uznané náklady

567 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

567 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč