Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry
Cíle projektu
Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií. Kromě zkoumání úhlové emise SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energiedopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p-n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.
Klíčová slova
Veřejná podpora
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
Program
Postdoktorandské granty
Veřejná soutěž
Postdoktorandské granty 9 (SGA02009GA1PD)
Hlavní účastníci
—
Druh soutěže
VS - Veřejná soutěž
Číslo smlouvy
102/09/P543
Alternativní jazyk
Název projektu anglicky
Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters
Anotace anglicky
Our goal is to gather more complete information related to the origin of contrast between thedoped areas and semiconductor substrate, during examination in a scanning low energy electronmicroscope. The contrast mechanism, whether related to the effect ofcharge injection into dopedpatterns on the semiconductor substrate, or to the cross-section of the multilayered structure, willbe investigated. The experiments will be conducted using a SLEEM, with an angular sensitive BSEand SE detector, and an additional arbitrarily low landing energy (with steps in range of 0.01 eV),which can be adjusted. Noticeable charge injection effects can be assumed, mainly in the depletionregion of the p-n junction, the location of which is thus controllable with the depth ofbeampenetration.
Vědní obory
Kategorie VaV
ZV - Základní výzkum
CEP - hlavní obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
CEP - vedlejší obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
CEP - další vedlejší obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD - odpovídající obory
(dle převodníku)10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)
20201 - Electrical and electronic engineering
Hodnocení dokončeného projektu
Hodnocení poskytovatelem
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Zhodnocení výsledků projektu
V rámci projektu byly navrženy a vyrobeny speciální vzorky planárních dopovaných struktur, které umožnily proměřit v jednom zorném poli obrazu ze SEM chování struktur s různou úrovní dopování a opačnou vodivostí. Byla navázána spolupráce ?
Termíny řešení
Zahájení řešení
1. 1. 2009
Ukončení řešení
31. 12. 2010
Poslední stav řešení
U - Ukončený projekt
Poslední uvolnění podpory
16. 4. 2010
Dodání dat do CEP
Důvěrnost údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Systémové označení dodávky dat
CEP11-GA0-GP-U/04:3
Datum dodání záznamu
20. 3. 2015
Finance
Celkové uznané náklady
567 tis. Kč
Výše podpory ze státního rozpočtu
567 tis. Kč
Ostatní veřejné zdroje financování
0 tis. Kč
Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.
0 tis. Kč
Základní informace
Uznané náklady
567 tis. Kč
Statní podpora
567 tis. Kč
100%
Poskytovatel
Grantová agentura České republiky
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Doba řešení
01. 01. 2009 - 31. 12. 2010