Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Standardní projekty

Veřejná soutěž

Standardní projekty 8 (SGA02005GA-ST)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

102/05/2327

Název projektu anglicky

Direct imaging of the dopant distribution in a semiconductor by means of low energy clectrons

Anotace anglicky

The project aims at modelling the contrast mechanism valid for a pian view of patterned doping on a semiconductor substrate or variously doped layers in the cleaved cross-section of a multilayered structure when they are imaged with secondary electrons (SE) in the scanning electron microscope (SEM). The state-of-art model, relying upon local differences in the ionisation energy, is not capable of explaining the observed contrast dependence on vacuum conditions. The role of very thin surface layers, likethose of hydrocarbons cracked owing to electron impact, has to be studied. Experiments will be made on doped substrates exposed to various vacuum conditions and observed in conventional SEM and low energy SEM with cathode lens. Surface chemistry will beexamined by means of Auger electrons, both in original status and after removal of surface layers. The influence of collection efficiency of the SE detector, i.e. the influence of electrostatic and magnetic fields around the specimen, on the

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

CEP - vedlejší obor

JJ - Ostatní materiály

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

20201 - Electrical and electronic engineering<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Cílem projektu bylo prozkoumat mechanismus tvorby kontrastu obrazu v sekundárních elektronech v rastrovacím elektronovém mikroskopu při zobrazování dopovaných oblastí v polovodiči a sestavit model tohoto mechanismu, resp. korigovat stávající modely. Byly

Zahájení řešení

1. 1. 2005

Ukončení řešení

31. 12. 2007

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

2. 5. 2007

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP08-GA0-GA-U/04:3

Datum dodání záznamu

16. 12. 2008

Celkové uznané náklady

2 675 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 675 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

1 500 tis. Kč