Výzkum SiC nanostruktur perspektivních pro integrovanou optoelektroniku a spintroniku, pomocí metody magnetické rezonance a optické spektroskopie

Poskytovatel

Grantová agentura České republiky

Program

Postdoktorandské granty

Veřejná soutěž

Postdoktorandské granty 14 (SGA0201300006)

Hlavní účastníci

—

Druh soutěže

VS - Veřejná soutěž

Číslo smlouvy

13-06697P

Název projektu anglicky

Investigation of SiC nanostructures by optical and magnetic resonance methods: perspective for integral optoelectronics and spintronics

Anotace anglicky

It is well known that low dimensional semiconductor structures exhibit electronic and optical properties markedly different from those of bulk materials. This is mainly governed by the finite size inducing charge carrier confinement and quantisation effects on the band energy structure, and by the interface effects enhanced by high specific surfaces. In this framework, silicon carbide (SiC) is an appropriate candidate since its electronic and optical properties can be driven by the crystallite size andstructure. The physical properties of nano- and micro-particles SiC will be investigated as a function of the particle size, doping level, C/Si ratios and the conditions of their thermal treatments. Using continuous wave and pulsed magnetic resonance techniques the electronic structure of the paramagnetic impurities and defects in SiC nanostructures and their composites, affected on their photoluminescence properties will be identified. The role of the defect and the particle size in the formation of the nitrogen donor state and its complexes in nanosized SiC will be established

Kategorie VaV

ZV - Základní výzkum

CEP - hlavní obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

CEP - vedlejší obor

—

CEP - další vedlejší obor

—

OECD FORD - odpovídající obory <br>(dle <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">převodníku</a>)

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Hodnocení poskytovatelem

U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

Zhodnocení výsledků projektu

Přínos projektu spočívá ve zjištění role velikosti částic a poruch ve vytvoření donorových stavů dusíku a jeho komplexů v nanostrukturách SiC. Výsledky projektu, které jsou významné pro obor spintronika, byly prezentovány na 6 mezinárodních konferencích?

Zahájení řešení

1. 2. 2013

Ukončení řešení

31. 12. 2014

Poslední stav řešení

U - Ukončený projekt

Poslední uvolnění podpory

19. 3. 2014

Důvěrnost údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Systémové označení dodávky dat

CEP15-GA0-GP-U/02:2

Datum dodání záznamu

6. 5. 2016

Celkové uznané náklady

1 692 tis. Kč

Výše podpory ze státního rozpočtu

1 692 tis. Kč

Ostatní veřejné zdroje financování

0 tis. Kč

Neveřejné tuz. a zahr. zdroje finan.

0 tis. Kč