Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Automatický řídící systém pro pěstování krystalů CdTe za vysokých tlaků

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F06%3A00002524" target="_blank" >RIV/00216208:11320/06:00002524 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Automatic Control System for the High Pressure CdTe Crystal Growth Furnace

  • Popis výsledku v původním jazyce

    CdTe and (CdZn)Te bulk single crystals have been widely used as substrates for MBE and LPE epitaxy of infrared (HgCd)Te as well as gamma- and X-ray detectors. The Cd1-xZnxTe (x = 0.04-0.1) single crystals with diameter up to 100 mm and height at most 40mm were prepared in our laboratory in a vertical arrangement by gradual cooling of the melt (the Vertical Gradient Freezing method). Achievement of excellent crystal quality required full control of Cd pressure during the growth process and application of high Cd pressures (up to 4 bar) at growth temperature. An electronic control system was designed to control both temperature and internal pressure of two zones CZT crystal growth furnace by using two high performance PID controllers/setpoint programmers. Two wire current loop serial communication bus was used for the data exchange and computer control of the furnace electronics setup. Control software was written to supervise the crystal growth process and to collect all important data

  • Název v anglickém jazyce

    Automatic Control System for the High Pressure CdTe Crystal Growth Furnace

  • Popis výsledku anglicky

    CdTe and (CdZn)Te bulk single crystals have been widely used as substrates for MBE and LPE epitaxy of infrared (HgCd)Te as well as gamma- and X-ray detectors. The Cd1-xZnxTe (x = 0.04-0.1) single crystals with diameter up to 100 mm and height at most 40mm were prepared in our laboratory in a vertical arrangement by gradual cooling of the melt (the Vertical Gradient Freezing method). Achievement of excellent crystal quality required full control of Cd pressure during the growth process and application of high Cd pressures (up to 4 bar) at growth temperature. An electronic control system was designed to control both temperature and internal pressure of two zones CZT crystal growth furnace by using two high performance PID controllers/setpoint programmers. Two wire current loop serial communication bus was used for the data exchange and computer control of the furnace electronics setup. Control software was written to supervise the crystal growth process and to collect all important data

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    JB - Senzory, čidla, měření a regulace

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Journal of Systemics, Cybernetics and Informatics

  • ISSN

    1690-4524

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    Vol.4

  • Číslo periodika v rámci svazku

    4

  • Stát vydavatele periodika

    GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

  • Počet stran výsledku

    6

  • Strana od-do

    1-6

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus