Post-growth thermal annealing study of CdZnTe for developing room-temperature X-ray and gamma-ray detectors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10140045" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10140045 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.11.041" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.11.041</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.11.041" target="_blank" >10.1016/j.jcrysgro.2012.11.041</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Post-growth thermal annealing study of CdZnTe for developing room-temperature X-ray and gamma-ray detectors
Popis výsledku v původním jazyce
Post-growth annealing is a potentially promising method of improving the properties of CZT for fabricating room-temperature X-ray and gamma-ray detectors. In this paper, we summarize some of our recent research on annealing detector-grade CZT crystals. Our results show that annealing in a Cd vapor effectively removes Te inclusions from CZT. The migration of Te inclusions was also observed for annealing in a temperature-gradient field. We recorded a loss of resistivity of the detector-grade CZT after annealing in a Cd vapor. The underlying mechanism of this loss was discussed, and solutions including two-step annealing (Cd annealing followed by Te annealing) and one-step annealing with Cd and Zn pressure control were proposed to maintain high resistivity.
Název v anglickém jazyce
Post-growth thermal annealing study of CdZnTe for developing room-temperature X-ray and gamma-ray detectors
Popis výsledku anglicky
Post-growth annealing is a potentially promising method of improving the properties of CZT for fabricating room-temperature X-ray and gamma-ray detectors. In this paper, we summarize some of our recent research on annealing detector-grade CZT crystals. Our results show that annealing in a Cd vapor effectively removes Te inclusions from CZT. The migration of Te inclusions was also observed for annealing in a temperature-gradient field. We recorded a loss of resistivity of the detector-grade CZT after annealing in a Cd vapor. The underlying mechanism of this loss was discussed, and solutions including two-step annealing (Cd annealing followed by Te annealing) and one-step annealing with Cd and Zn pressure control were proposed to maintain high resistivity.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
e-ISSN
—
Svazek periodika
379
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
16-20
Kód UT WoS článku
000323191700005
EID výsledku v databázi Scopus
—