Diffuse X-Ray Scattering from Semiconductor Nanostructures

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00206360" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00206360 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Diffuse X-Ray Scattering from Semiconductor Nanostructures
Popis výsledku v původním jazyce
X-ray scattering methods are frequently used for the investigation of semiconductor nanostructures. From the distribution reciprocal space of diffusely scattered intensity, it is possible to determine the spatial correlation properties of the nano-objects, their shapes, and the elastic strains in and around the nano-objects as well as their local chemical compositions. In this chapter, we present basic theoretical approaches for the description of diffuse X-ray scattering from nanostructures and presentsome experimental examples.
Název v anglickém jazyce
Diffuse X-Ray Scattering from Semiconductor Nanostructures
Popis výsledku anglicky
X-ray scattering methods are frequently used for the investigation of semiconductor nanostructures. From the distribution reciprocal space of diffusely scattered intensity, it is possible to determine the spatial correlation properties of the nano-objects, their shapes, and the elastic strains in and around the nano-objects as well as their local chemical compositions. In this chapter, we present basic theoretical approaches for the description of diffuse X-ray scattering from nanostructures and presentsome experimental examples.

Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název knihy nebo sborníku
Diffuse Scattering and the Fundamental Properties of Materials
ISBN
1-60650-000-7
Počet stran výsledku
28
Strana od-do
—
Počet stran knihy
454
Název nakladatele
Momentum Press LLC
Místo vydání
New Jersey
Kód UT WoS kapitoly
—

Podobné výsledky(10)