Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F09%3A00207136" target="_blank" >RIV/00216208:11320/09:00207136 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

We report the results of time-resolved photoluminescence spectroscopy of a double layer quantum dot structure with large spacer distance emitting at 1.3 m at room temperature. In ultrafast zero-time photoluminescence spectrum, we identified the transitions in GaAs barrier, in wetting layer and in quantum dots. Identical initial rise times give evidence of simultaneous filling of the quantum dot states. The excitation power dependence of photoluminescence dynamics reveals that the carrier dynamics are controlled by radiative recombination and cascade relaxation in quantum dot states. The overall picture of photoluminescence dynamics is in accord with a low concentration of nonradiative recombination channels in the studied structure which demonstrates its application potential.

Název v anglickém jazyce

Ultrafast photoluminescence spectroscopy of InAs/GaAs quantum dots

Popis výsledku anglicky

We report the results of time-resolved photoluminescence spectroscopy of a double layer quantum dot structure with large spacer distance emitting at 1.3 m at room temperature. In ultrafast zero-time photoluminescence spectrum, we identified the transitions in GaAs barrier, in wetting layer and in quantum dots. Identical initial rise times give evidence of simultaneous filling of the quantum dot states. The excitation power dependence of photoluminescence dynamics reveals that the carrier dynamics are controlled by radiative recombination and cascade relaxation in quantum dot states. The overall picture of photoluminescence dynamics is in accord with a low concentration of nonradiative recombination channels in the studied structure which demonstrates its application potential.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0718" target="_blank" >GA202/06/0718: Inženýrství kvantových teček</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi. C. Solid State Physics

ISSN

1610-1634

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000266597600017

EID výsledku v databázi Scopus

—