Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Ion beam mixing in uranium nitride thin films studied by Rutherford Backscattering Spectroscopy

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10057484" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10057484 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Ion beam mixing in uranium nitride thin films studied by Rutherford Backscattering Spectroscopy

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Thickness, composition, concentration depth profile and ion irradiation effects on uranium nitride thin films deposited on fused silica have been investigated by Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) using 2 MeV He+ ions. The films were prepared by reactive DC sputtering at the temperatures of -200 C, +25 C and +300 C. A perfect 1U:1N stoichiometry with a layer thickness of 660 nm was found for the film deposited at -200 C. An increase of the deposition temperature led to an enhancement of surface oxidation and an increase of the thickness of the mixed U-N-Si-O layers at the interface.

  • Název v anglickém jazyce

    Ion beam mixing in uranium nitride thin films studied by Rutherford Backscattering Spectroscopy

  • Popis výsledku anglicky

    Thickness, composition, concentration depth profile and ion irradiation effects on uranium nitride thin films deposited on fused silica have been investigated by Rutherford Backscattering Spectroscopy (RBS) using 2 MeV He+ ions. The films were prepared by reactive DC sputtering at the temperatures of -200 C, +25 C and +300 C. A perfect 1U:1N stoichiometry with a layer thickness of 660 nm was found for the film deposited at -200 C. An increase of the deposition temperature led to an enhancement of surface oxidation and an increase of the thickness of the mixed U-N-Si-O layers at the interface.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/IAA100100912" target="_blank" >IAA100100912: Magnetická anizotropie nanorozhraní</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

  • ISSN

    0168-583X

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    268

  • Číslo periodika v rámci svazku

    11-12

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000278702300040

  • EID výsledku v databázi Scopus