Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Optical and mechanical characterization of ultrananocrystalline diamond films prepared in dual frequency discharges

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F10%3A00040570" target="_blank" >RIV/00216224:14310/10:00040570 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/49777513:23210/10:00503819

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Optical and mechanical characterization of ultrananocrystalline diamond films prepared in dual frequency discharges

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Ultrananocrystalline diamond (UNCD) films were deposited directly on polished c-Si substrates in microwave discharge (2.45 GHz) combined with rf capacitive plasma (13.56 MHz) ignited at the substrate electrode. The rf discharge induced a dc self-bias accelerating ions towards the growing film during the whole deposition process. The substrate was either preheated in hydrogen discharge to the deposition temperature of 900 C or the deposition of intermediate layer started at about 200 C and reached 900 Cin the 5th minute. The latter procedure resulted in the deposition of coating with the hardness of 70 GPa and very good fracture toughness. The analysis of optical measurement in UV-IR range confirmed the presence of 250 nm thick intermediate layer containing DLC and SiC materials.

  • Název v anglickém jazyce

    Optical and mechanical characterization of ultrananocrystalline diamond films prepared in dual frequency discharges

  • Popis výsledku anglicky

    Ultrananocrystalline diamond (UNCD) films were deposited directly on polished c-Si substrates in microwave discharge (2.45 GHz) combined with rf capacitive plasma (13.56 MHz) ignited at the substrate electrode. The rf discharge induced a dc self-bias accelerating ions towards the growing film during the whole deposition process. The substrate was either preheated in hydrogen discharge to the deposition temperature of 900 C or the deposition of intermediate layer started at about 200 C and reached 900 Cin the 5th minute. The latter procedure resulted in the deposition of coating with the hardness of 70 GPa and very good fracture toughness. The analysis of optical measurement in UV-IR range confirmed the presence of 250 nm thick intermediate layer containing DLC and SiC materials.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Surface & coatings technology

  • ISSN

    0257-8972

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    204

  • Číslo periodika v rámci svazku

    12-13

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000275692100026

  • EID výsledku v databázi Scopus