Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F04%3A00000007" target="_blank" >RIV/49610040:_____/04:00000007 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/04:00100334 RIV/49610040:_____/05:00000035

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique

Popis výsledku v původním jazyce

Investigation of hydrogenated microcrystalline silicon (microc-Si:H) thin films for solar cells deposited at very low substrate temperatures is motivated by further reduction of the energy budget and a possibility to use practical polymer substrates. Wehave applied the surface photovoltage (SPV) technique in an expanded spectral region (1.2?3 eV) to study transport properties of microc-Si:H thin films deposited at substrate temperatures between 35 and 200 °C. The application of the SPV technique revealed new phenomena of low-temperature microc-Si:H growth (e.g. formation of a bottom barrier for deposition temperatures below 100 °C, presence of a defective layer for deposition temperatures 75?200 °C) without performing any additional measurementswas detected even for the sample thickness less than 0.5 microm. By increasing the deposition temperature, a transition from the amorphous to microcrystalline growth was crossed. However, it seems not to be sharp?the experimental data indicate

Název v anglickém jazyce

Thin silicon films deposited at low substrate temperatures studied by surface photovoltage technique

Popis výsledku anglicky

Investigation of hydrogenated microcrystalline silicon (microc-Si:H) thin films for solar cells deposited at very low substrate temperatures is motivated by further reduction of the energy budget and a possibility to use practical polymer substrates. Wehave applied the surface photovoltage (SPV) technique in an expanded spectral region (1.2?3 eV) to study transport properties of microc-Si:H thin films deposited at substrate temperatures between 35 and 200 °C. The application of the SPV technique revealed new phenomena of low-temperature microc-Si:H growth (e.g. formation of a bottom barrier for deposition temperatures below 100 °C, presence of a defective layer for deposition temperatures 75?200 °C) without performing any additional measurementswas detected even for the sample thickness less than 0.5 microm. By increasing the deposition temperature, a transition from the amorphous to microcrystalline growth was crossed. However, it seems not to be sharp?the experimental data indicate

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

Volumes 45

Číslo periodika v rámci svazku

20040322

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

408-412

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—