Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO2 Layer

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F10%3A10071375" target="_blank" >RIV/00216208:11320/10:10071375 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO2 Layer

Popis výsledku v původním jazyce

X-ray photoelectron diffraction has become a common method to determine element-specific local atomic surface structure. The use of hard X-rays makes this method bulk-sensitive and capable of studying the atomic structure of new materials such as multilayers and buried layers. We present the first Cr K_alpha-excited angle-resolved photoelectron diffraction from Si(001) covered by a 0-7-nm thick SiO2 layer and demonstrate the information depth of this technique. The measured results are compared with a cluster model simulation.

Název v anglickém jazyce

Hard-X-ray Photoelectron Diffraction from Si(001) Covered by a 0-7-nm-Thick SiO2 Layer

Popis výsledku anglicky

X-ray photoelectron diffraction has become a common method to determine element-specific local atomic surface structure. The use of hard X-rays makes this method bulk-sensitive and capable of studying the atomic structure of new materials such as multilayers and buried layers. We present the first Cr K_alpha-excited angle-resolved photoelectron diffraction from Si(001) covered by a 0-7-nm thick SiO2 layer and demonstrate the information depth of this technique. The measured results are compared with a cluster model simulation.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Express

ISSN

1882-0778

e-ISSN

—

Svazek periodika

3

Číslo periodika v rámci svazku

5

Stát vydavatele periodika

JP - Japonsko

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000277992300022

EID výsledku v databázi Scopus

—