Defect levels of semi-insulating CdMnTe:In crystals

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10102965" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10102965 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3594715" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3594715</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3594715" target="_blank" >10.1063/1.3594715</a>

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Defect levels of semi-insulating CdMnTe:In crystals
Popis výsledku v původním jazyce
Experimental methods(like photoluminescence, deep level transient spectroscopy, synchrotron x-ray diffraction topography and scanning electron microscopy) were used to investigate semiinsulating, gamma detector grade crystals CdMnTe doped with indium. Shallow traps, A-centers, deep levels were revealed. Some specific features of dislocation-induced defects were discussed.
Název v anglickém jazyce
Defect levels of semi-insulating CdMnTe:In crystals
Popis výsledku anglicky
Experimental methods(like photoluminescence, deep level transient spectroscopy, synchrotron x-ray diffraction topography and scanning electron microscopy) were used to investigate semiinsulating, gamma detector grade crystals CdMnTe doped with indium. Shallow traps, A-centers, deep levels were revealed. Some specific features of dislocation-induced defects were discussed.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)