X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10103789" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10103789 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nl2013289" target="_blank" >http://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/nl2013289</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/nl2013289" target="_blank" >10.1021/nl2013289</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor

Popis výsledku v původním jazyce

For advanced electronic, optoelectronic, or mechanical nanoscale devices a detailed understanding of their structural properties and in particular the strain state within their active region is of utmost importance. We demonstrate that X-ray nanodiffraction represents an excellent tool to investigate the internal structure of such devices in a nondestructive way by using a focused synchotron X-ray beam with a diameter of 400 nm. We show results on the strain fields in and around a single SiGe island, which serves as stressor for the Si-channel in a fully functioning Si-metal-oxide semiconductor field-effect transistor.

Název v anglickém jazyce

X-ray Nanodiffraction on a Single SiGe Quantum Dot inside a Functioning Field-Effect Transistor

Popis výsledku anglicky

For advanced electronic, optoelectronic, or mechanical nanoscale devices a detailed understanding of their structural properties and in particular the strain state within their active region is of utmost importance. We demonstrate that X-ray nanodiffraction represents an excellent tool to investigate the internal structure of such devices in a nondestructive way by using a focused synchotron X-ray beam with a diameter of 400 nm. We show results on the strain fields in and around a single SiGe island, which serves as stressor for the Si-channel in a fully functioning Si-metal-oxide semiconductor field-effect transistor.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Nano Letters

ISSN

1530-6984

e-ISSN

—

Svazek periodika

11

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

2875-2880

Kód UT WoS článku

000292849400054

EID výsledku v databázi Scopus

—