Compliant substrate versus plastic relaxation effects in Ge nanoheteroepitaxy on free-standing Si(001) nanopillars

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F11%3A10106219" target="_blank" >RIV/00216208:11320/11:10106219 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3644948" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.3644948</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.3644948" target="_blank" >10.1063/1.3644948</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Compliant substrate versus plastic relaxation effects in Ge nanoheteroepitaxy on free-standing Si(001) nanopillars

Popis výsledku v původním jazyce

We report on the structural characterization of Ge clusters selectively grown by chemical vapor deposition on free-standing 50 nm wide Si(001) nanopillars. Synchrotron based x-ray diffraction studies and transmission electron microscopy were performed toexperimentally verify the nanoheteroepitaxy theory as a technique to grow high quality Ge on Si(001). Although the structure dimensions are comparable to the theoretical values required for the strain partitioning phenomenon, the compliant character ofSi is not unambiguously proven. In consequence, the strain is relieved by nucleation of misfit dislocations at the Ge/Si interface. By gliding out of threading arms, high quality Ge nanostructures are achieved.

Název v anglickém jazyce

Compliant substrate versus plastic relaxation effects in Ge nanoheteroepitaxy on free-standing Si(001) nanopillars

Popis výsledku anglicky

We report on the structural characterization of Ge clusters selectively grown by chemical vapor deposition on free-standing 50 nm wide Si(001) nanopillars. Synchrotron based x-ray diffraction studies and transmission electron microscopy were performed toexperimentally verify the nanoheteroepitaxy theory as a technique to grow high quality Ge on Si(001). Although the structure dimensions are comparable to the theoretical values required for the strain partitioning phenomenon, the compliant character ofSi is not unambiguously proven. In consequence, the strain is relieved by nucleation of misfit dislocations at the Ge/Si interface. By gliding out of threading arms, high quality Ge nanostructures are achieved.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

99

Číslo periodika v rámci svazku

14

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

1-3

Kód UT WoS článku

000295625100022

EID výsledku v databázi Scopus

—