An STM study of desorption-induced thallium structures on the Si(111) surface
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F12%3A10130689" target="_blank" >RIV/00216208:11320/12:10130689 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2011.12.016" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2011.12.016</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.susc.2011.12.016" target="_blank" >10.1016/j.susc.2011.12.016</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
An STM study of desorption-induced thallium structures on the Si(111) surface
Popis výsledku v původním jazyce
The scanning tunneling microscopy is used to study morphology of a Tl adlayer in various stages of Tl desorption from the Si(111) surface. Transition from the Si(111)/(1 x 1)-Tl structure through the (root 3 x root 3)R30 degrees mosaic phase to domains of metastable Si reconstructions is observed. Silicon substitutional atoms are found to be intrinsic to the (root 3 x root 3)R30 degrees structure. The temperature dependence of the amount of residual TI atoms on the surface is successfully fitted by a model using the first order desorption. The same desorption energy of (2.1 +/- 0.3) eV and frequency prefactor 5 x 10(14 +/- 2) s(-1) during all stages of the desorption are sufficient for the fitting. It is concluded that bonding of Tl in both (1 x 1) and(root 3 x root 3) configurations is of the same nature.
Název v anglickém jazyce
An STM study of desorption-induced thallium structures on the Si(111) surface
Popis výsledku anglicky
The scanning tunneling microscopy is used to study morphology of a Tl adlayer in various stages of Tl desorption from the Si(111) surface. Transition from the Si(111)/(1 x 1)-Tl structure through the (root 3 x root 3)R30 degrees mosaic phase to domains of metastable Si reconstructions is observed. Silicon substitutional atoms are found to be intrinsic to the (root 3 x root 3)R30 degrees structure. The temperature dependence of the amount of residual TI atoms on the surface is successfully fitted by a model using the first order desorption. The same desorption energy of (2.1 +/- 0.3) eV and frequency prefactor 5 x 10(14 +/- 2) s(-1) during all stages of the desorption are sufficient for the fitting. It is concluded that bonding of Tl in both (1 x 1) and(root 3 x root 3) configurations is of the same nature.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GP202%2F09%2FP033" target="_blank" >GP202/09/P033: Růst uspořádaných nanostruktur kovů IIIA skupiny na povrchu Si(111)-5x5</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface Science
ISSN
0039-6028
e-ISSN
—
Svazek periodika
606
Číslo periodika v rámci svazku
13-14
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
991-995
Kód UT WoS článku
000304740600003
EID výsledku v databázi Scopus
—