The direct magnetoelectric effect in ferroelectric-ferromagnetic epitaxial heterostructures
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10173498" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10173498 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/c3nr01011b" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1039/c3nr01011b</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1039/c3nr01011b" target="_blank" >10.1039/c3nr01011b</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The direct magnetoelectric effect in ferroelectric-ferromagnetic epitaxial heterostructures
Popis výsledku v původním jazyce
Ferroelectric (FE) and ferromagnetic (FM) materials engineered in horizontal heterostructures allow interface-mediated magnetoelectric coupling. The so-called converse magnetoelectric effect (CME) has been already demonstrated by electric-field poling ofthe ferroelectric layers and subsequent modification of the magnetic state of adjacent ferromagnetic layers by strain effects and/or free-carrier density tuning. Here we focus on the direct magnetoelectric effect (DME) where the dielectric state of a ferroelectric thin film is modified by a magnetic field. Ferroelectric BaTiO3 (BTO) and ferromagnetic CoFe2O4 (CFO) oxide thin films have been used to create epitaxial FE/FM and FM/FE heterostructures on SrTiO3(001) substrates buffered with metallic SrRuO3. It will be shown that large ferroelectric polarization and DME can be obtained by appropriate selection of the stacking order of the FE and FM films and their relative thicknesses. The dielectric permittivity, at the structural transiti
Název v anglickém jazyce
The direct magnetoelectric effect in ferroelectric-ferromagnetic epitaxial heterostructures
Popis výsledku anglicky
Ferroelectric (FE) and ferromagnetic (FM) materials engineered in horizontal heterostructures allow interface-mediated magnetoelectric coupling. The so-called converse magnetoelectric effect (CME) has been already demonstrated by electric-field poling ofthe ferroelectric layers and subsequent modification of the magnetic state of adjacent ferromagnetic layers by strain effects and/or free-carrier density tuning. Here we focus on the direct magnetoelectric effect (DME) where the dielectric state of a ferroelectric thin film is modified by a magnetic field. Ferroelectric BaTiO3 (BTO) and ferromagnetic CoFe2O4 (CFO) oxide thin films have been used to create epitaxial FE/FM and FM/FE heterostructures on SrTiO3(001) substrates buffered with metallic SrRuO3. It will be shown that large ferroelectric polarization and DME can be obtained by appropriate selection of the stacking order of the FE and FM films and their relative thicknesses. The dielectric permittivity, at the structural transiti
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GPP204%2F11%2FP339" target="_blank" >GPP204/11/P339: Exchange bias řízený elektrickým polem v antiferomagnetických polovodičích za pokojové teploty</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanoscale [online]
ISSN
2040-3364
e-ISSN
—
Svazek periodika
5
Číslo periodika v rámci svazku
17
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
8037-8044
Kód UT WoS článku
000322958800049
EID výsledku v databázi Scopus
—