Hydrogen absorption in thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10189248" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10189248 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/13:00431501

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.01.121" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.01.121</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.01.121" target="_blank" >10.1016/j.jallcom.2013.01.121</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Hydrogen absorption in thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition

Popis výsledku v původním jazyce

ZnO films with thickness of similar to 80 nm were grown by pulsed laser deposition (PLO) on MgO (100) single crystal and amorphous fused silica (FS) substrates. Structural studies of ZnO films and a high quality reference ZnO single crystal were performed by slow positron implantation spectroscopy (SPIS). It was found that ZnO films exhibit significantly higher density of defects than the reference ZnO crystal. Moreover, the ZnO film deposited on MgO substrate exhibits higher concentration of defects than the film deposited on amorphous FS substrate most probably due to a dense network of misfit dislocations. The ZnO films and the reference ZnO crystal were subsequently loaded with hydrogen by electrochemical cathodic charging. SPIS characterizations revealed that absorbed hydrogen introduces new defects into ZnO.

Název v anglickém jazyce

Hydrogen absorption in thin ZnO films prepared by pulsed laser deposition

Popis výsledku anglicky

ZnO films with thickness of similar to 80 nm were grown by pulsed laser deposition (PLO) on MgO (100) single crystal and amorphous fused silica (FS) substrates. Structural studies of ZnO films and a high quality reference ZnO single crystal were performed by slow positron implantation spectroscopy (SPIS). It was found that ZnO films exhibit significantly higher density of defects than the reference ZnO crystal. Moreover, the ZnO film deposited on MgO substrate exhibits higher concentration of defects than the film deposited on amorphous FS substrate most probably due to a dense network of misfit dislocations. The ZnO films and the reference ZnO crystal were subsequently loaded with hydrogen by electrochemical cathodic charging. SPIS characterizations revealed that absorbed hydrogen introduces new defects into ZnO.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Alloys and Compounds

ISSN

0925-8388

e-ISSN

—

Svazek periodika

580

Číslo periodika v rámci svazku

15 December 2013

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"S40"-"S43"

Kód UT WoS článku

000328172400012

EID výsledku v databázi Scopus

—