Characterization of CdTe and (CdZn)Te detectors with different metal contacts

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F13%3A10189299" target="_blank" >RIV/00216208:11320/13:10189299 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://proceedings.spiedigitallibrary.org/" target="_blank" >http://proceedings.spiedigitallibrary.org/</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1117/12.2023233" target="_blank" >10.1117/12.2023233</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Characterization of CdTe and (CdZn)Te detectors with different metal contacts

Popis výsledku v původním jazyce

The influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material was studied with aim to find optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact.

Název v anglickém jazyce

Characterization of CdTe and (CdZn)Te detectors with different metal contacts

Popis výsledku anglicky

The influence of different types of surface etching and surface passivation of high resistivity CdZnTe-based semiconductor detector material was studied with aim to find optimal conditions to improve the properties of metal-semiconductor contact.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceeding of SPIE

ISBN

978-0-8194-9702-4

ISSN

0277-786X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

"88521F"

Název nakladatele

SPIE

Místo vydání

USA

Místo konání akce

San Diego, USA

Datum konání akce

25. 8. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000326643800025