Materiál pro výrobu CdTe detektorů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F14%3A10290348" target="_blank" >RIV/00216208:11320/14:10290348 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Materiál pro výrobu CdTe detektorů

Popis výsledku v původním jazyce

Byla vyvinuta technologii přípravy vysokodporového CdTe a byl připraven funkční vzorek vysokoodporového materiálu CdTe ve formě plošného výřezu vysokoodporového CdTe a planárního detektoru opatřeného plošnými zlatými kontakty. Pomocí technologie růstu vevertikálním gradientu (VGF) byly připraveny krystaly vysokoodporového CdTe legovaného Indiem o průměru 50mm. Na základě výsledků analýz série krystalů CdTe připravených uvedenou technologií v uplynulém období 2012-2014 byla stanovena optimální koncentrace dopantu. Tato koncentrace zajišťuje jak vysoký elektrický odpor v části ingotu, tak co nejlepší účinnost sběru náboje. Připravené ingoty byly rozřezány, jednotlivé desky byly broušeny a leštěny. Dále byl proměřen elektrický odpor pomocí bezkontaktní metody COREMA. Jednotlivé desky byly dále rozřezány na menší vzorky, z kterých byly připraveny detektory s planární elektrodou. Takto připravené vzorky byly charakterizovány pomocí měření alfa, gama a rtg spektroskopie.

Název v anglickém jazyce

Material for preparation od CdTe detectors

Popis výsledku anglicky

Technology of preparation of semiinsulating CdTe detectors was developed. We prepared a functional sample of semiinsulating material in the form of a wafer of semiinsulating CdTe and a planar detector with surface gold contacts. We prepared a semiinsulating CdTe crystal doped with indium by technology of growth in vertical gradient (VGF) with a diameter of 50mm. Based on analysis of series of crystals prepared by this technology in 2012-2014 we determined optimal concentration of dopant. This concentration guarantees both high electric resistivity and good charge collection efficiency. The prepared ingots were cut, lapped and polished. Thje lectric resitivity was measured by contactless resistivity measurement method COREMA. The wafers were further cutinto smaller samples, on which detectors with planar electrodes were fabricated.These samples were then characterized by measurement with alpha, gamma nad X-ray spectroscopy.

Druh

G_funk - Funkční vzorek

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/TE01020445" target="_blank" >TE01020445: Centrum rozvoje technologií pro jadernou a radiační bezpečnost: RANUS - TD</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Interní identifikační kód produktu

Neuveden

Číselná identifikace

—

Technické parametry

0,- Plánuje se později. U funkčního vzoru výroba zatím nenastala.

Ekonomické parametry

Detekce rentgenova záření a záření gama do 120keV

Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

—

IČO vlastníka výsledku

00216208

Název vlastníka

Univerzita Karlova v Praze

Stát vlastníka

CZ - Česká republika

Druh možnosti využití

N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Požadavek na licenční poplatek

—

Adresa www stránky s výsledkem

—