Noise spectroscopy of high resistance CdTe detectors

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APU87031" target="_blank" >RIV/00216305:26220/10:PU87031 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Noise spectroscopy of high resistance CdTe detectors

Popis výsledku v původním jazyce

Previously the analysis of noise characteristics of CdTe single crystals was carried out. For measurements were used CdTe long bars with four contacts, two current and two voltage contacts. The analysis showed that the source of the excess value of 1/f noise spectral density is depleted region of samples at metal-semiconductor junction [1,2]. These samples were high doped and therefore were lowohmic. For increasing production efficiency of both detectors and substrates, the growth of largediameter, inclusion and precipitate-free single crystals with low concentration of native and foreign defects is necessary [3]. This paper presents the noise characteristics of high resistance CdTe radiation detectors. Noise spectroscopy of two CdTe detectors shows that the resulting noise characteristic is given by superposition of 1/f noise and generationrecombination noise.

Název v anglickém jazyce

Noise spectroscopy of high resistance CdTe detectors

Popis výsledku anglicky

Previously the analysis of noise characteristics of CdTe single crystals was carried out. For measurements were used CdTe long bars with four contacts, two current and two voltage contacts. The analysis showed that the source of the excess value of 1/f noise spectral density is depleted region of samples at metal-semiconductor junction [1,2]. These samples were high doped and therefore were lowohmic. For increasing production efficiency of both detectors and substrates, the growth of largediameter, inclusion and precipitate-free single crystals with low concentration of native and foreign defects is necessary [3]. This paper presents the noise characteristics of high resistance CdTe radiation detectors. Noise spectroscopy of two CdTe detectors shows that the resulting noise characteristic is given by superposition of 1/f noise and generationrecombination noise.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP102%2F10%2FP589" target="_blank" >GPP102/10/P589: Šumová spektroskopie CdTe detektorů rentgenového a gamma záření.</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

33rd International Spring Seminar on Electronics Technology

ISBN

978-83-7207-874-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

—

Název nakladatele

Piotr Firek

Místo vydání

Warsaw

Místo konání akce

Kyoto

Datum konání akce

1. 8. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000272337900005