The Effect of Contacts Metal - Semiconductor on Low Frequency Noise

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU68642" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU68642 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
The Effect of Contacts Metal - Semiconductor on Low Frequency Noise
Popis výsledku v původním jazyce
Flicker noise of CdTe radiation detectors was measured and analyzed. Two CdTe detectors were used for the measurements. Both detectors have p-type conductivity. One of them has low-ohmic contacts (F33B8), another one have high-ohmic contact (452D). The value of flicker noise for both detectors was much higher than theoretical value for CdTe single crystals. It was suggested that the contact area was the source of extra high low frequency noise value. This paper shows the analysis of this possibility
Název v anglickém jazyce
The Effect of Contacts Metal - Semiconductor on Low Frequency Noise
Popis výsledku anglicky
Flicker noise of CdTe radiation detectors was measured and analyzed. Two CdTe detectors were used for the measurements. Both detectors have p-type conductivity. One of them has low-ohmic contacts (F33B8), another one have high-ohmic contact (452D). The value of flicker noise for both detectors was much higher than theoretical value for CdTe single crystals. It was suggested that the contact area was the source of extra high low frequency noise value. This paper shows the analysis of this possibility

Projekt
<a href="/cs/project/GA102%2F07%2F0113" target="_blank" >GA102/07/0113: Diagnostika Schottkyho a studenoemisních katod pomocí elektronického šumu</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2007
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)