Self-assembly of Ge quantum dots on periodically corrugated Si surfaces

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F15%3A10314364" target="_blank" >RIV/00216208:11320/15:10314364 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4935859" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4935859</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4935859" target="_blank" >10.1063/1.4935859</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Self-assembly of Ge quantum dots on periodically corrugated Si surfaces

Popis výsledku v původním jazyce

The fabrication of regularly ordered Ge quantum dot arrays on Si surfaces usually requires extensive preparation processing, ensuring clean and atomically ordered substrates, while the ordering parameters are quite limited by the surface properties of the substrate. Here, we demonstrate a simple method for fabrication of ordered Ge quantum dots with highly tunable ordering parameters on rippled Si surfaces. The ordering is achieved by magnetron sputter deposition, followed by an annealing in high vacuum. We show that the type of ordering and lattice vector parameters of the formed Ge quantum dot lattice are determined by the crystallographic properties of the ripples, i.e., by their shape and orientation. Moreover, the ordering is achieved regardless the initial amorphisation of the ripples surface and the presence of a thin oxide layer. (c) 2015 AIP Publishing LLC.

Název v anglickém jazyce

Self-assembly of Ge quantum dots on periodically corrugated Si surfaces

Popis výsledku anglicky

The fabrication of regularly ordered Ge quantum dot arrays on Si surfaces usually requires extensive preparation processing, ensuring clean and atomically ordered substrates, while the ordering parameters are quite limited by the surface properties of the substrate. Here, we demonstrate a simple method for fabrication of ordered Ge quantum dots with highly tunable ordering parameters on rippled Si surfaces. The ordering is achieved by magnetron sputter deposition, followed by an annealing in high vacuum. We show that the type of ordering and lattice vector parameters of the formed Ge quantum dot lattice are determined by the crystallographic properties of the ripples, i.e., by their shape and orientation. Moreover, the ordering is achieved regardless the initial amorphisation of the ripples surface and the presence of a thin oxide layer. (c) 2015 AIP Publishing LLC.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA14-08124S" target="_blank" >GA14-08124S: Rtg difraktometrie s vysokým rozlišením náhodných vrstevnatých systémů</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

107

Číslo periodika v rámci svazku

20

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000365688700046

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84948439236