Space charge oscillations in semiinsulating CdZnTe
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F17%3A10369832" target="_blank" >RIV/00216208:11320/17:10369832 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4986841" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4986841</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4986841" target="_blank" >10.1063/1.4986841</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Space charge oscillations in semiinsulating CdZnTe
Popis výsledku v původním jazyce
Our work focuses on a detailed analysis of non-trivial temporal evolution of the electric field measured by the Pockels effect in a CdZnTe planar sample after biasing. The electric field varies, and in a couple of seconds, it reaches a steady state. We have observed an undershoot of the electric field evolution close to the cathode which is a sign of a local oscillation of the space charge density. An advanced deep level analysis based on thermal emission results in a single hole trap with energy E-v + 0.87 eV responsible for complex electric field behavior. Moreover, we simulated an influence of a deep level concentration N-t on the local electric field oscillations: with a higher N-t the undershoots turn to the oscillations, while with a lower N-t, the undershoots turn to the monotonous temporal evolution of the electric field.
Název v anglickém jazyce
Space charge oscillations in semiinsulating CdZnTe
Popis výsledku anglicky
Our work focuses on a detailed analysis of non-trivial temporal evolution of the electric field measured by the Pockels effect in a CdZnTe planar sample after biasing. The electric field varies, and in a couple of seconds, it reaches a steady state. We have observed an undershoot of the electric field evolution close to the cathode which is a sign of a local oscillation of the space charge density. An advanced deep level analysis based on thermal emission results in a single hole trap with energy E-v + 0.87 eV responsible for complex electric field behavior. Moreover, we simulated an influence of a deep level concentration N-t on the local electric field oscillations: with a higher N-t the undershoots turn to the oscillations, while with a lower N-t, the undershoots turn to the monotonous temporal evolution of the electric field.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
e-ISSN
—
Svazek periodika
111
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000410059200016
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85029181730