Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Entropy-controlled fully reversible nanostructure formation of Ge on miscut vicinal Si(001) surfaces

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F20%3A10414816" target="_blank" >RIV/00216208:11320/20:10414816 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216224:14310/20:00116625

  • Výsledek na webu

    <a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=71TpXPgaZZ" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=71TpXPgaZZ</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.102.075420" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.102.075420</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Entropy-controlled fully reversible nanostructure formation of Ge on miscut vicinal Si(001) surfaces

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Entropy effects substantially modify the growth of self-assembled Ge nanostructures on vicinal Si(001) surfaces, on which one-dimensional nanowire-like structures are formed. As shown by variable temperature scanning tunneling microscopy, these nanostructures are not only tunable in size and shape, but can be fully reversibly erased and reformed without changes in sizes and composition. This unprecedented behavior is caused by the strong free surface energy renormalization due to the large step entropy of vicinal surfaces that strongly increases with increasing temperature. This favors a planar two-dimensional surface at higher temperatures in thermodynamic equilibrium, whereas the nanostructured surface is the preferred low-temperature configuration. Taking the step entropy into account, the critical transition temperature between these surface states derived by free-energy minimization is shown to scale nearly linearly with the Ge coverage-in excellent agreement with the experiments. Most importantly, the nanowire sizes are found to be deterministically controlled by the Ge thickness and vicinal angle, independently of the growth or annealing conditions. Thus, highly reproducible structures with tunable nanogeometries and -dimensions are obtained, which opens promising avenues for device applications.

  • Název v anglickém jazyce

    Entropy-controlled fully reversible nanostructure formation of Ge on miscut vicinal Si(001) surfaces

  • Popis výsledku anglicky

    Entropy effects substantially modify the growth of self-assembled Ge nanostructures on vicinal Si(001) surfaces, on which one-dimensional nanowire-like structures are formed. As shown by variable temperature scanning tunneling microscopy, these nanostructures are not only tunable in size and shape, but can be fully reversibly erased and reformed without changes in sizes and composition. This unprecedented behavior is caused by the strong free surface energy renormalization due to the large step entropy of vicinal surfaces that strongly increases with increasing temperature. This favors a planar two-dimensional surface at higher temperatures in thermodynamic equilibrium, whereas the nanostructured surface is the preferred low-temperature configuration. Taking the step entropy into account, the critical transition temperature between these surface states derived by free-energy minimization is shown to scale nearly linearly with the Ge coverage-in excellent agreement with the experiments. Most importantly, the nanowire sizes are found to be deterministically controlled by the Ge thickness and vicinal angle, independently of the growth or annealing conditions. Thus, highly reproducible structures with tunable nanogeometries and -dimensions are obtained, which opens promising avenues for device applications.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2020

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review B

  • ISSN

    2469-9950

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    102

  • Číslo periodika v rámci svazku

    7

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    13

  • Strana od-do

    075420

  • Kód UT WoS článku

    000557726800009

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85090124638