A self-powered UV-vis-NIR graphite/CdZnTe Schottky junction photodiode
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216208%3A11320%2F23%3A10466915" target="_blank" >RIV/00216208:11320/23:10466915 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=f-7IVk_r.4" target="_blank" >https://verso.is.cuni.cz/pub/verso.fpl?fname=obd_publikace_handle&handle=f-7IVk_r.4</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1361-6641/acd9e4" target="_blank" >10.1088/1361-6641/acd9e4</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A self-powered UV-vis-NIR graphite/CdZnTe Schottky junction photodiode
Popis výsledku v původním jazyce
We proposed a self-powered UV-vis-NIR Schottky junction photodiode based on a unique combination of radiation-hard functional materials: thin-film semi-metal Graphite and CdZnTe single-crystal compound semiconductor. The graphite/CdZnTe Schottky junction photodiodes exhibit a maximum responsivity of 0.25 A W-1 and detectivity of 6.5 x 10(11) Jones, close to the best heterojunction photodiodes based on CdZnTe solid solution. The devices are also characterized by short rise/fall times (1.2/7.2 mu s) and a wide linear dynamic range (77 dB). The proposed photodiodes are promising for applications in space and terrestrial areas with high levels of ionizing radiation.
Název v anglickém jazyce
A self-powered UV-vis-NIR graphite/CdZnTe Schottky junction photodiode
Popis výsledku anglicky
We proposed a self-powered UV-vis-NIR Schottky junction photodiode based on a unique combination of radiation-hard functional materials: thin-film semi-metal Graphite and CdZnTe single-crystal compound semiconductor. The graphite/CdZnTe Schottky junction photodiodes exhibit a maximum responsivity of 0.25 A W-1 and detectivity of 6.5 x 10(11) Jones, close to the best heterojunction photodiodes based on CdZnTe solid solution. The devices are also characterized by short rise/fall times (1.2/7.2 mu s) and a wide linear dynamic range (77 dB). The proposed photodiodes are promising for applications in space and terrestrial areas with high levels of ionizing radiation.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Semiconductor Science and Technology
ISSN
0268-1242
e-ISSN
1361-6641
Svazek periodika
38
Číslo periodika v rámci svazku
8
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
085002
Kód UT WoS článku
001009049600001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85163396497