A high-detectivity, fast-response, and radiation-resistant TiN/CdZnTe heterojunction photodiode
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F23%3A00572795" target="_blank" >RIV/68378271:_____/23:00572795 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216208:11320/22:10451746
Výsledek na webu
<a href="http://doi.org/10.1002/adom.202202028" target="_blank" >http://doi.org/10.1002/adom.202202028</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/adom.202202028" target="_blank" >10.1002/adom.202202028</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
A high-detectivity, fast-response, and radiation-resistant TiN/CdZnTe heterojunction photodiode
Popis výsledku v původním jazyce
A novel high-performance ultraviolet–visible–near-infrared (300–820 nm) heterojunction photodiode based on radiation-resistant semiconductor materials is proposed. A titanium nitride (TiN) “window” layer is deposited via magnetron sputtering onto a cadmium zinc telluride (CdZnTe) solid solution single crystal. The TiN/CdZnTe heterojunction photodiodes concurrently reveal an outstanding detectivity, response time, and linear dynamic range outperforming similar heterojunction photodiodes and photodetectors, based on photoactive inorganic compound semiconductor materials. Moreover, the added feature of the proposed heterojunction photodiodes is their excellent radiation resistance, experimentally demonstrated under short impulse proton irradiation (170 keV) with an accumulated fluence of 2 × 1012 proton cm−2.
Název v anglickém jazyce
A high-detectivity, fast-response, and radiation-resistant TiN/CdZnTe heterojunction photodiode
Popis výsledku anglicky
A novel high-performance ultraviolet–visible–near-infrared (300–820 nm) heterojunction photodiode based on radiation-resistant semiconductor materials is proposed. A titanium nitride (TiN) “window” layer is deposited via magnetron sputtering onto a cadmium zinc telluride (CdZnTe) solid solution single crystal. The TiN/CdZnTe heterojunction photodiodes concurrently reveal an outstanding detectivity, response time, and linear dynamic range outperforming similar heterojunction photodiodes and photodetectors, based on photoactive inorganic compound semiconductor materials. Moreover, the added feature of the proposed heterojunction photodiodes is their excellent radiation resistance, experimentally demonstrated under short impulse proton irradiation (170 keV) with an accumulated fluence of 2 × 1012 proton cm−2.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2023
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Advanced Optical Materials
ISSN
2195-1071
e-ISSN
2195-1071
Svazek periodika
11
Číslo periodika v rámci svazku
2
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
2202028
Kód UT WoS článku
000884262700001
EID výsledku v databázi Scopus
2-s2.0-85142216094