Deposition of DLC:Si(O) Films in Low Pressure Discharges

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F01%3A00003099" target="_blank" >RIV/00216224:14310/01:00003099 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Deposition of DLC:Si(O) Films in Low Pressure Discharges
Popis výsledku v původním jazyce
Study of the properties of silicon doped DLC films deposited in rf low pressure discharges. Investigation of the influence of the deposition parameters on the film properties.
Název v anglickém jazyce
Deposition of DLC:Si(O) Films in Low Pressure Discharges
Popis výsledku anglicky
Study of the properties of silicon doped DLC films deposited in rf low pressure discharges. Investigation of the influence of the deposition parameters on the film properties.

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2001
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes
ISBN
80-223-1573-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
43
Název nakladatele
Dept. of Plasma Physics & Inst. of Physics, Comenius University Bratislava (Slovakia)
Místo vydání
Bratislava (Slovakia)
Místo konání akce
Bratislava (Slovakia)
Datum konání akce
1. 1. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)