Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010934" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010934 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers

Popis výsledku v původním jazyce

We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and fromcross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method.

Název v anglickém jazyce

X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers

Popis výsledku anglicky

We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and fromcross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2004

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

53

Název nakladatele

TECON Scientific, s.r.o.

Místo vydání

Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika

Místo konání akce

Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika

Datum konání akce

1. 1. 2004

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—