Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem leogovaných křemíkových deskaách připravených Czochralského metodou

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00013724" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00013724 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/05:00001615

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers

Popis výsledku v původním jazyce

We have studied nitrogen-doped silicon wafers from origin, middle and end of the ingot, annealed at low and high temperatures, using triple-axis high-resolution X-ray diffraction. The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space maps determines the type of dislocation loops and from cross sections we can obtain the radius and concentration of the loops. These parameters were combined with the results from selective etching and infrared absorption spectroscopy method.

Název v anglickém jazyce

X-ray diffuse scattering from defects in nitrogen-doped Czochralski grown silicon wafers

Popis výsledku anglicky

We have studied nitrogen-doped silicon wafers from origin, middle and end of the ingot, annealed at low and high temperatures, using triple-axis high-resolution X-ray diffraction. The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space maps determines the type of dislocation loops and from cross sections we can obtain the radius and concentration of the loops. These parameters were combined with the results from selective etching and infrared absorption spectroscopy method.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

J. Phys. D: Appl. Phys.

ISSN

0022-3727

e-ISSN

—

Svazek periodika

2005

Číslo periodika v rámci svazku

38

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

"A105"-"A110"

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—