Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v dusíkem legovaném Czochralského křemíku
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010940" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010940 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
Popis výsledku v původním jazyce
We have analysed infrared transmittance spectra of Czochralski silicon. Using measurements at liquid nitrogen temperature we have identified the contribution of oxygen precipitates of different shapes. An effective-medium model of average dielectric constant has been used to determine the shape, volume fraction and stoichiometry of the precipitates. Standard and nitrogen-doped samples have been measured; we have observed a favourable influence of nitrogen on oxygen precipitation.
Název v anglickém jazyce
Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
Popis výsledku anglicky
We have analysed infrared transmittance spectra of Czochralski silicon. Using measurements at liquid nitrogen temperature we have identified the contribution of oxygen precipitates of different shapes. An effective-medium model of average dielectric constant has been used to determine the shape, volume fraction and stoichiometry of the precipitates. Standard and nitrogen-doped samples have been measured; we have observed a favourable influence of nitrogen on oxygen precipitation.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004
ISBN
—
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
146-150
Název nakladatele
TECON Scientific, s.r.o.
Místo vydání
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
Datum konání akce
2. 11. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—