Nukleace a precipitace intersticiálního kyslíku v Czochralského křemíku
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00017572" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00017572 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon
Popis výsledku v původním jazyce
Infrared absorption spectroscopy has been applied to study interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates in a series of multi-step annealed silicon samples. We have adopted Ham's theory of diffusion-limited precipitation. Then we have been able to determine concentration of the oxygen precipitates in the samples from decrease of Oi concentration during the high temperature annealing. We have also used triple-axis high-resolution x-ray diffraction to measure reciprocal space maps of these samples.
Název v anglickém jazyce
Nucleation and Precipitation of Interstitial Oxygen in Czochralski Silicon
Popis výsledku anglicky
Infrared absorption spectroscopy has been applied to study interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates in a series of multi-step annealed silicon samples. We have adopted Ham's theory of diffusion-limited precipitation. Then we have been able to determine concentration of the oxygen precipitates in the samples from decrease of Oi concentration during the high temperature annealing. We have also used triple-axis high-resolution x-ray diffraction to measure reciprocal space maps of these samples.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of The Tenth Scientific and Business Conference SILICON 2006
ISBN
80-239-7781-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
2
Strana od-do
283-284
Název nakladatele
TECON Scientific, s.r.o.
Místo vydání
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
Místo konání akce
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
Datum konání akce
1. 1. 2006
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—