Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Infračervená spektroskopie kyslíkových intersticiálů a precipitátů v dusíkem legovaném křemíku

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00016777" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00016777 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We have used infrared absorption to study interstitial oxygen and oxygen precipitates in a series of nitrogen-doped silicon (Si:N) samples. Transmittance spectra have been measured in the temperature range from 10 to 300 K. This allowed us to separate reliably the contributions of interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates, obtained in the single-step (16 h at 1050C) and two-step (4 h at 750C, followed by 16 h at 1050C) heat treatment. In the data analysis, we focus on the amount of oxygen available initially in the unannealed material, and its redistribution following the two thermal treatments. The absorption spectra of the precipitates are analysed using effective-medium models; we have used infrared ellipsometric spectra of amorphous silicondioxide, optimized for the range of weak absorption at high frequencies, and their modifications for different stoichiometries. The resulting concentration of Oi and the oxygen atoms in the precipitates is found to depend rather significa

  • Název v anglickém jazyce

    Infrared spectroscopy of oxygen interstitials and precipitates in nitrogen-doped silicon

  • Popis výsledku anglicky

    We have used infrared absorption to study interstitial oxygen and oxygen precipitates in a series of nitrogen-doped silicon (Si:N) samples. Transmittance spectra have been measured in the temperature range from 10 to 300 K. This allowed us to separate reliably the contributions of interstitial oxygen (Oi) and oxygen precipitates, obtained in the single-step (16 h at 1050C) and two-step (4 h at 750C, followed by 16 h at 1050C) heat treatment. In the data analysis, we focus on the amount of oxygen available initially in the unannealed material, and its redistribution following the two thermal treatments. The absorption spectra of the precipitates are analysed using effective-medium models; we have used infrared ellipsometric spectra of amorphous silicondioxide, optimized for the range of weak absorption at high frequencies, and their modifications for different stoichiometries. The resulting concentration of Oi and the oxygen atoms in the precipitates is found to depend rather significa

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2006

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physica B condensed matter

  • ISSN

    0921-4526

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    376-377

  • Číslo periodika v rámci svazku

    6

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    150-153

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus