Analýza distribuce a Burgersových vektorů dislokací v polovodičových deskách zobrazením rocking-křivek
Popis výsledku
Nedávno jsme vypracovali metodu 'zobrazování rocking-křivkami' (RCI), která s velkým prostorovým rozlišením umožňuje zobrazení nedokonalostí krystalové mříže ve velkých krystalech, jako jsou polovodičové desky.Metoda je založena na kombinaci analýzy rtgrocking křivek a digitální rtg difrakční topografie. V tomto článku navrhujeme rozšíření této metody, které umožní kvantifikovat hustotu dislokací a její distribuci na povrchu krystalu. Prezentujeme výsledky z téměř bezdislokačních S-dopovaných InP a z GaAs krystalů, na nichž je vidět nenáhodná distribuce dislokací.
Klíčová slova
lattice tiltdiffractionX-ray diffractionwafersdefectsInPGaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
Popis výsledku v původním jazyce
The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysisand digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.
Název v anglickém jazyce
Distribution and Burgers vectors of dislocations in semiconductor wafers investigated by rocking-curve imaging
Popis výsledku anglicky
The method called rocking-curve imaging (RCI) has recently been developed to visualize lattice imperfections in large crystals such as semiconductor wafers with high spatial resolution. The method is based on a combination of X-ray rocking-curve analysisand digital X-ray diffraction topography. In this article, an extension of the method is proposed by which dislocation densities in largescale samples (semiconductor wafer crystals) can be quantified and their variation across the sample surface determined in an instrumentally simple way. Results from a nearly dislocation-free S-doped InP crystal and a semi-insulating GaAs are presented; both display a clearly non-random distribution of dislocations.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2005
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
J. Appl. Crystallography
ISSN
0021-8898
e-ISSN
—
Svazek periodika
38
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
91-96
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění
2005