Studium třídimnzionálního krystalu Ge/Si ostrůvků RTG difrakcí

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00014559" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00014559 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/05:00001504

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction

Popis výsledku v původním jazyce

An analysis of coplanar high-angle x-ray-diffraction data was performed and structural information on buried Ge islands forming a 3D island crystal was obtained. We have demonstrated that the combination of an analytical solution of the equilibrium equations of linear elasticity with kinematical scattering theory can be used to simulate the experimental x-ray-diffraction data. The strain state in the buried islands and their surrounding Si matrix was determined. The Ge content in the islands is found tobe on the average 40%, and the island shape does not change dramatically during capping.

Název v anglickém jazyce

Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction

Popis výsledku anglicky

An analysis of coplanar high-angle x-ray-diffraction data was performed and structural information on buried Ge islands forming a 3D island crystal was obtained. We have demonstrated that the combination of an analytical solution of the equilibrium equations of linear elasticity with kinematical scattering theory can be used to simulate the experimental x-ray-diffraction data. The strain state in the buried islands and their surrounding Si matrix was determined. The Ge content in the islands is found tobe on the average 40%, and the island shape does not change dramatically during capping.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F03%2F0148" target="_blank" >GA202/03/0148: Anomální rozptyl rtg záření na polovodičových nanostrukturách</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

98

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

073517

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—