Study of oxygen precipitates in silicon using x-ray diffraction techniques

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F08%3A00027768" target="_blank" >RIV/00216224:14310/08:00027768 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Study of oxygen precipitates in silicon using x-ray diffraction techniques

Popis výsledku v původním jazyce

We have used two different x-ray diffraction techniques to characterize oxygen precipitates in Czochralski grown silicon. The first one is a reciprocal space mapping in the Bragg diffraction, which is used to determine the deformation field around the precipitates. The other on was simultaneous measurement of diffracted and transmitted beam in the Laue diffraction. This method gave us also concentration of oxygen precipitates.

Název v anglickém jazyce

Study of oxygen precipitates in silicon using x-ray diffraction techniques

Popis výsledku anglicky

We have used two different x-ray diffraction techniques to characterize oxygen precipitates in Czochralski grown silicon. The first one is a reciprocal space mapping in the Bragg diffraction, which is used to determine the deformation field around the precipitates. The other on was simultaneous measurement of diffracted and transmitted beam in the Laue diffraction. This method gave us also concentration of oxygen precipitates.

Druh

O - Ostatní výsledky

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů