Optical characterization of HfO2 thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F11%3A00055011" target="_blank" >RIV/00216224:14310/11:00055011 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/68081731:_____/11:00365941 RIV/60162694:G43__/11:00449520
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609011007863" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609011007863</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.03.128" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2011.03.128</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Optical characterization of HfO2 thin films
Popis výsledku v původním jazyce
Hafnia films prepared onto silicon wafers at three substrate temperatures of 40, 160 and 280 degrees C are optically characterized utilizing the multi-sample method. The characterization uses the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry within the spectral region 1.24-6.5 eV (190-1000 nm). The structural model of the HfO(2) films includes boundary nanometric roughness, thickness non-uniformity and refractive index profile. Spectral dependences of the filmoptical constants are expressed using a recently developed parametrized joint density of states model describing the dielectric response of both interband transitions and excitations of localized states below the band gap. It is shown that the observed weak absorption below the band gap does not correspond to the Urbach tail.
Název v anglickém jazyce
Optical characterization of HfO2 thin films
Popis výsledku anglicky
Hafnia films prepared onto silicon wafers at three substrate temperatures of 40, 160 and 280 degrees C are optically characterized utilizing the multi-sample method. The characterization uses the combination of variable angle spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry within the spectral region 1.24-6.5 eV (190-1000 nm). The structural model of the HfO(2) films includes boundary nanometric roughness, thickness non-uniformity and refractive index profile. Spectral dependences of the filmoptical constants are expressed using a recently developed parametrized joint density of states model describing the dielectric response of both interband transitions and excitations of localized states below the band gap. It is shown that the observed weak absorption below the band gap does not correspond to the Urbach tail.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BH - Optika, masery a lasery
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
519
Číslo periodika v rámci svazku
18
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
6085-6091
Kód UT WoS článku
000292576500042
EID výsledku v databázi Scopus
—