Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00424989" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00424989 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/00216224:14740/13:00071634
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.04.129" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2013.04.129</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films
Popis výsledku v původním jazyce
Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046?8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.
Název v anglickém jazyce
Advanced modeling for optical characterization of amorphous hydrogenated silicon films
Popis výsledku anglicky
Amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) films deposited on glass and crystalline silicon substrates are analyzed using a multi-sample method combining ellipsometry and spectrophotometry in a spectral range of 0.046?8.9 eV, utilizing an analytical dispersion model based on parametrization of joint density of states and application of sum rule. This model includes all absorption processes from phonon absorption to core electron excitations. It is shown that if films deposited on both substrates are characterized together it is possible to study both phonon absorption and weak absorption processes below the band gap, i.e. the Urbach tail and absorption on localized states.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
e-ISSN
—
Svazek periodika
541
Číslo periodika v rámci svazku
AUG
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
12-16
Kód UT WoS článku
000323140600004
EID výsledku v databázi Scopus
—