Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F15%3A00080413" target="_blank" >RIV/00216224:14310/15:00080413 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/15:00459032

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.92.241302</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the (k) over right arrow . (p) over right arrow framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

Název v anglickém jazyce

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Popis výsledku anglicky

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the (k) over right arrow . (p) over right arrow framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

92

Číslo periodika v rámci svazku

24

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

"nestránkováno"

Kód UT WoS článku

000366496300002

EID výsledku v databázi Scopus

—