Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F15%3APU117184" target="_blank" >RIV/00216305:26620/15:PU117184 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.92.241302" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.92.241302</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Popis výsledku v původním jazyce

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the k - p framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

Název v anglickém jazyce

Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

Popis výsledku anglicky

We study the polarization response of the emission from type-II GaAsSb capped InAs quantum dots. The theoretical prediction based on the calculations of the overlap integrals of the single-particle states obtained in the k - p framework is given. This is verified experimentally by polarization resolved photoluminescence measurements on samples with the type-II confinement. We show that the polarization anisotropy might be utilized to find the vertical position of the hole wave function and its orientation with respect to crystallographic axes of the sample. A proposition for usage in the information technology as a room temperature photonic gate operating at the communication wavelengths as well as a simple model to estimate the energy of fine-structure splitting for type-II GaAsSb capped InAs QDs are given.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2015

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

PHYSICAL REVIEW B

ISSN

0163-1829

e-ISSN

1550-235X

Svazek periodika

92

Číslo periodika v rámci svazku

24

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

„241302-1“-„241302-5“

Kód UT WoS článku

000366496300002

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-84952313690