GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F13%3A00211924" target="_blank" >RIV/68407700:21340/13:00211924 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL.
Název v anglickém jazyce
GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku anglicky
GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Třetí studentská vědecká konference fyziky pevných látek
ISBN
978-80-01-05344-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
46-50
Název nakladatele
ČVUT, Fakulta jaderná a fyzikálně inženýrská
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Dvorská bouda
Datum konání akce
28. 6. 2013
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—