Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F17%3A00096311" target="_blank" >RIV/00216224:14310/17:00096311 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185" target="_blank" >10.1002/adma.201604185</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The topological properties of lead-tin chalcogenide topological crystalline insulators can be widely tuned by temperature and composition. It is shown that bulk Bi doping of epitaxial Pb1-xSnxTe (111) films induces a giant Rashba splitting at the surface that can be tuned by the doping level. Tight binding calculations identify their origin as Fermi level pinning by trap states at the surface.

  • Název v anglickém jazyce

    Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk

  • Popis výsledku anglicky

    The topological properties of lead-tin chalcogenide topological crystalline insulators can be widely tuned by temperature and composition. It is shown that bulk Bi doping of epitaxial Pb1-xSnxTe (111) films induces a giant Rashba splitting at the surface that can be tuned by the doping level. Tight binding calculations identify their origin as Fermi level pinning by trap states at the surface.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2017

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    ADVANCED MATERIALS

  • ISSN

    0935-9648

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    29

  • Číslo periodika v rámci svazku

    3

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    9

  • Strana od-do

    „1604185-1“-„1604185-9“

  • Kód UT WoS článku

    000392729800018

  • EID výsledku v databázi Scopus