Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F17%3A00096311" target="_blank" >RIV/00216224:14310/17:00096311 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185" target="_blank" >10.1002/adma.201604185</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk
Popis výsledku v původním jazyce
The topological properties of lead-tin chalcogenide topological crystalline insulators can be widely tuned by temperature and composition. It is shown that bulk Bi doping of epitaxial Pb1-xSnxTe (111) films induces a giant Rashba splitting at the surface that can be tuned by the doping level. Tight binding calculations identify their origin as Fermi level pinning by trap states at the surface.
Název v anglickém jazyce
Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk
Popis výsledku anglicky
The topological properties of lead-tin chalcogenide topological crystalline insulators can be widely tuned by temperature and composition. It is shown that bulk Bi doping of epitaxial Pb1-xSnxTe (111) films induces a giant Rashba splitting at the surface that can be tuned by the doping level. Tight binding calculations identify their origin as Fermi level pinning by trap states at the surface.
Klasifikace
Druh
J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Ostatní
Rok uplatnění
2017
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
ADVANCED MATERIALS
ISSN
0935-9648
e-ISSN
—
Svazek periodika
29
Číslo periodika v rámci svazku
3
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
„1604185-1“-„1604185-9“
Kód UT WoS článku
000392729800018
EID výsledku v databázi Scopus
—