Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F17%3A00100440" target="_blank" >RIV/00216224:14310/17:00100440 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4986751" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4986751</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4986751" target="_blank" >10.1063/1.4986751</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

We investigate the change of the valence band energy of GaAs1-xBix as a function of dilute bismuth (Bi) concentration, x, using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The change in the valence band energy per addition of 1 % Bi is determined for strained and unstrained thin films using a linear approximation applicable to the dilute regime. Spectroscopic ellipsometry (SE) was used as a complementary technique to determine the change in GaAsBi bandgap resulting from Bi addition. Analysis of SE and XPS data together supports the conclusion that similar to 75% of the reduction in the bandgap is in the valence band for a compressively strained, dilute GaAsBi thin film at room temperature.

Název v anglickém jazyce

Determination of the impact of Bi content on the valence band energy of GaAsBi using x-ray photoelectron spectroscopy

Popis výsledku anglicky

We investigate the change of the valence band energy of GaAs1-xBix as a function of dilute bismuth (Bi) concentration, x, using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The change in the valence band energy per addition of 1 % Bi is determined for strained and unstrained thin films using a linear approximation applicable to the dilute regime. Spectroscopic ellipsometry (SE) was used as a complementary technique to determine the change in GaAsBi bandgap resulting from Bi addition. Analysis of SE and XPS data together supports the conclusion that similar to 75% of the reduction in the bandgap is in the valence band for a compressively strained, dilute GaAsBi thin film at room temperature.

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

AIP Advances

ISSN

2158-3226

e-ISSN

—

Svazek periodika

7

Číslo periodika v rámci svazku

7

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000406760200016

EID výsledku v databázi Scopus

—