Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00509391" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00509391 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/00216208:11320/19:10425676

Výsledek na webu

<a href="https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044601" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044601</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044601" target="_blank" >10.1103/PhysRevMaterials.3.044601</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

Popis výsledku v původním jazyce

We present an in-depth investigation of structural and electronic properties of GaAsBi epilayers. High (001)crystalline order is achieved using careful molecular beam epitaxy and surface preparation procedures. High surface order allows us to use x-ray, ultraviolet, and angle-resolved photoemission spectroscopy at variable photon energies and to disentangle electronic effects of an atomically thin Bi-rich surface layer with (2 × 3) symmetry from those of Bi atoms incorporated in the GaAs bulk matrix. The influence of bulk-integrated Bi concentrations on the GaAs band structure becomes visible in angle-resolved photoemission after removing Bi-rich surface layers by a brief and mild ion bombardment and subsequent annealing treatment. Experimental observations are supported by density functional theory simulations of the valence band structure of bulk and surface-reconstructed GaAs with and without Bi.n

Název v anglickém jazyce

Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

Popis výsledku anglicky

We present an in-depth investigation of structural and electronic properties of GaAsBi epilayers. High (001)crystalline order is achieved using careful molecular beam epitaxy and surface preparation procedures. High surface order allows us to use x-ray, ultraviolet, and angle-resolved photoemission spectroscopy at variable photon energies and to disentangle electronic effects of an atomically thin Bi-rich surface layer with (2 × 3) symmetry from those of Bi atoms incorporated in the GaAs bulk matrix. The influence of bulk-integrated Bi concentrations on the GaAs band structure becomes visible in angle-resolved photoemission after removing Bi-rich surface layers by a brief and mild ion bombardment and subsequent annealing treatment. Experimental observations are supported by density functional theory simulations of the valence band structure of bulk and surface-reconstructed GaAs with and without Bi.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2019

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review Materials

ISSN

2475-9953

e-ISSN

—

Svazek periodika

3

Číslo periodika v rámci svazku

Apr

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

14

Strana od-do

1-14

Kód UT WoS článku

000463911400001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85064162860