Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00509391" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00509391 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/00216208:11320/19:10425676

  • Výsledek na webu

    <a href="https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044601" target="_blank" >https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.3.044601</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevMaterials.3.044601" target="_blank" >10.1103/PhysRevMaterials.3.044601</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

  • Popis výsledku v původním jazyce

    We present an in-depth investigation of structural and electronic properties of GaAsBi epilayers. High (001)crystalline order is achieved using careful molecular beam epitaxy and surface preparation procedures. High surface order allows us to use x-ray, ultraviolet, and angle-resolved photoemission spectroscopy at variable photon energies and to disentangle electronic effects of an atomically thin Bi-rich surface layer with (2 × 3) symmetry from those of Bi atoms incorporated in the GaAs bulk matrix. The influence of bulk-integrated Bi concentrations on the GaAs band structure becomes visible in angle-resolved photoemission after removing Bi-rich surface layers by a brief and mild ion bombardment and subsequent annealing treatment. Experimental observations are supported by density functional theory simulations of the valence band structure of bulk and surface-reconstructed GaAs with and without Bi.n

  • Název v anglickém jazyce

    Electronic properties of GaAsBi(001) alloys at low Bi content

  • Popis výsledku anglicky

    We present an in-depth investigation of structural and electronic properties of GaAsBi epilayers. High (001)crystalline order is achieved using careful molecular beam epitaxy and surface preparation procedures. High surface order allows us to use x-ray, ultraviolet, and angle-resolved photoemission spectroscopy at variable photon energies and to disentangle electronic effects of an atomically thin Bi-rich surface layer with (2 × 3) symmetry from those of Bi atoms incorporated in the GaAs bulk matrix. The influence of bulk-integrated Bi concentrations on the GaAs band structure becomes visible in angle-resolved photoemission after removing Bi-rich surface layers by a brief and mild ion bombardment and subsequent annealing treatment. Experimental observations are supported by density functional theory simulations of the valence band structure of bulk and surface-reconstructed GaAs with and without Bi.n

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>imp</sub> - Článek v periodiku v databázi Web of Science

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Physical Review Materials

  • ISSN

    2475-9953

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    3

  • Číslo periodika v rámci svazku

    Apr

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    14

  • Strana od-do

    1-14

  • Kód UT WoS článku

    000463911400001

  • EID výsledku v databázi Scopus

    2-s2.0-85064162860