Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F18%3A00101864" target="_blank" >RIV/00216224:14310/18:00101864 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    Technologie pro depozici materiálu magnetronovým naprašováním

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Navržená technologie ukazuje, že použití stejnosměrného magnetronového naprašování vede ke čtyřnásobně rychlejší depozici vrstvy v porovnání s magnetronovým naprašováním buzeným pulzy vysokého výkonu, a tedy je proces mnohem efektivnější a méně energeticky náročný. Použitím magnetronového naprašování buzeného pulzy vysokého výkonu ovšem povede k deponování vrstvy nejen pomocí atomů, ale i iontů rozprašovaného materiálu, což vyústí k přípravě mnohem kvalitnějších deponovaných vrstev (větší přilnavosti k substrátu, nižší drsnosti či větší hustotě), což vyústí ve větší přidanou hodnotu daných vrstev. V tomto studovaném případě bude v místě, kde se vrstva deponuje na vzorek, až 48 % iontů.

  • Název v anglickém jazyce

    Technology for thin film deposition by magnetron sputtering

  • Popis výsledku anglicky

    The proposed technology demonstrates that the use of DC magnetron sputtering results in a deposition of a layer four times faster compared to magnetron sputtering excited by high power pulses, and therefore the process is more efficient and less energy consuming. However, using a high power impulse magnetnetron sputtering leads to deposition of a layer not only by the sputterred atoms but also by the ions of the sputtered material, which results in the preparation of improved thin films (e.g. greater adhesion to the substrate, lower roughness or higher density), and thus it leads to depostion of thin films with higher added values. In this case, up to 48% of ions of sputered materials will be deposited at the substrate position.

Klasifikace

  • Druh

    Z<sub>tech</sub> - Ověřená technologie

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    20506 - Coating and films

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/TJ01000157" target="_blank" >TJ01000157: Optimalizace procesu depozice průmyslových ochranných povlaků</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2018

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Interní identifikační kód produktu

    Magnetron 1

  • Číselná identifikace

    není

  • Technické parametry

    V rámci optimalizace technologického postupu byl studován vliv střídy, tlaku i vzdálenosti na depoziční rychlost, tok energie a ionizační stupeň. Magnetron byl buzen stejnosměrně (DC) i pulzy vysokého výkonu (HiPIMS). Navržená technologie je charakterizována těmito depozičními podmínkami: DC buzení za 1 Pa, výkonu 1 kW a střídou 100% a buzení pomocí HiPIMS za 1 Pa, výkonu 1 kW, délce pulzu 200us, frekvenci 60 Hza střídě 1,2 %. Očekává se sepsání smlouvy o využití výsledků s firmou SHM, s.r.o., která již o výsledky projevila zájem.

  • Ekonomické parametry

    Navržená technologie ukazuje, že použití stejnosměrného magnetronového naprašování vede ke čtyřnásobně rychlejší depozici vrstvy v porovnání s magnetronovým naprašováním buzeným pulzy vysokého výkonu, a tedy je proces mnohem efektivnější a méně energeticky náročný.

  • Kategorie aplik. výsledku dle nákladů

  • IČO vlastníka výsledku

    00216224

  • Název vlastníka

    Masarykova univerzita

  • Stát vlastníka

    CZ - Česká republika

  • Druh možnosti využití

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Požadavek na licenční poplatek

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Adresa www stránky s výsledkem